這是一份加工技術(shù)的清單，在現(xiàn)代電子設(shè)備的整個(gè)建造過程中被多次采用；這份清單不一定意味著具體的順序。執(zhí)行這些工藝的設(shè)備是由少數(shù)幾家公司制造的。所有的設(shè)備都需要在半導(dǎo)體制造廠開工前進(jìn)行測(cè)試。[31] 這些工藝是在集成電路設(shè)計(jì)后進(jìn)行的。

晶片處理

濕法清洗

用丙酮、三氯乙烯和超純水等溶劑清洗

Piranha溶液

RCA清洗

表面鈍化

光刻技術(shù)

離子植入（將摻雜物嵌入晶圓中，形成導(dǎo)電性增加或減少的區(qū)域）

蝕刻（微細(xì)加工）

干法蝕刻（等離子體蝕刻）

反應(yīng)性離子蝕刻（RIE）

深度反應(yīng)性離子蝕刻

原子層蝕刻(ALE)

濕法蝕刻

緩沖氧化物蝕刻

等離子灰化

熱處理

快速熱退火

熔爐退火

熱氧化

化學(xué)氣相沉積(CVD)

原子層沉積(ALD)

物理氣相沉積(PVD)

分子束外延(MBE)

激光解除（用于LED生產(chǎn)[32]）

電化學(xué)沉積（ECD）。見電鍍

化學(xué)-機(jī)械拋光（CMP）

晶片測(cè)試（使用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備對(duì)電氣性能進(jìn)行驗(yàn)證，在這一步驟中還可能進(jìn)行分片和/或激光修剪）

模具準(zhǔn)備

硅通孔制造（用于三維集成電路）

晶圓安裝（使用切割膠帶將晶圓安裝在金屬框架上）。

晶圓回磨和拋光[33]（對(duì)于像智能卡或PCMCIA卡這樣的薄型設(shè)備或晶圓鍵合和堆疊，減少晶圓的厚度，這也可能發(fā)生在晶圓切割過程中，稱為先切割后研磨或DBG[34][35]）。

晶片粘接和堆疊（對(duì)于三維集成電路和MEMS）。

再分配層的制造（對(duì)于WLCSP封裝）。

晶圓凸起（對(duì)于倒裝芯片BGA（球柵陣列）和WLCSP封裝）。

芯片切割或晶圓切割

IC封裝

芯片附著（使用導(dǎo)電膏或芯片附著膜將芯片附著在引線框架上[36][37])

IC粘接。電線鍵合、熱聲鍵合、倒裝芯片或膠帶自動(dòng)鍵合（TAB）。

IC封裝或集成散熱器（IHS）安裝

模塑（使用特殊的模塑化合物，可能含有玻璃粉作為填充物）

烘烤

電鍍（在引線框架的銅引線上鍍上錫，使焊接更容易）。

激光打標(biāo)或絲網(wǎng)印刷

修剪和成型（將引線框架相互分離，并彎曲引線框架的引腳，以便將其安裝在印刷電路板上）。

IC測(cè)試

此外，還可以進(jìn)行諸如賴特蝕刻等步驟。