20世紀(jì)

第一個金屬氧化物-硅場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是由埃及工程師Mohamed M. Atalla和韓國工程師Dawon Kahng于1959年至1960年間在貝爾實驗室制造的。 [13] 最初有兩種類型的MOSFET技術(shù)，PMOS（p型MOS）和NMOS（n型MOS）。 這兩種類型都是由Atalla和Kahng在最初發(fā)明MOSFET時開發(fā)的，在20微米和10微米的尺度上制造了PMOS和NMOS器件。

1963年，Chih-Tang Sah和Frank Wanlass在Fairchild半導(dǎo)體公司開發(fā)了一種改進(jìn)的MOSFET技術(shù)，即CMOS。1968年，RCA公司將CMOS用于其4000系列集成電路，從20微米工藝開始，在接下來的幾年里逐漸擴(kuò)展到10微米工藝。

此后，半導(dǎo)體設(shè)備制造從20世紀(jì)60年代的德克薩斯州和加利福尼亞州擴(kuò)展到世界其他地區(qū)，包括亞洲、歐洲和中東。

21世紀(jì)

今天的半導(dǎo)體行業(yè)是一個全球性的業(yè)務(wù)。領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商通常在世界各地都有設(shè)施。世界上最大的半導(dǎo)體制造商三星電子，在韓國和美國都有設(shè)施。英特爾，第二大制造商，在歐洲、亞洲和美國都有設(shè)施。臺積電是世界上最大的純晶圓廠，在臺灣、中國、新加坡和美國都有設(shè)施。高通和博通是最大的無晶圓廠半導(dǎo)體公司之一，將其生產(chǎn)外包給臺積電等公司。

自2009年以來，”節(jié)點(diǎn) “已成為一個用于營銷的商業(yè)名稱，表示新一代的工藝技術(shù)，與門長、金屬間距或門間距沒有任何關(guān)系。例如，GlobalFoundries的7納米工藝與英特爾的10納米工藝相似，因此傳統(tǒng)的工藝節(jié)點(diǎn)概念已經(jīng)變得模糊。此外，臺積電和三星的10納米工藝在晶體管密度上只比英特爾的14納米工藝略高。它們實際上比英特爾的10納米工藝更接近英特爾的14納米工藝（例如，三星的10納米工藝的鰭片間距與英特爾的14納米工藝完全相同。4。

截至2019年，英特爾、聯(lián)電、臺積電、三星、美光、SK海力士、東芝內(nèi)存和GlobalFoundries等公司正在大規(guī)模生產(chǎn)14納米和10納米芯片，臺積電和三星正在大規(guī)模生產(chǎn)7納米工藝芯片，盡管他們的7納米節(jié)點(diǎn)定義與英特爾的10納米工藝類似。5納米工藝在2018年開始由三星生產(chǎn)。截至2019年，晶體管密度最高的節(jié)點(diǎn)是臺積電的5納米N5節(jié)點(diǎn)，其密度為每平方毫米1.713億個晶體管。2019年，三星和臺積電宣布計劃生產(chǎn)3納米節(jié)點(diǎn)。GlobalFoundries決定停止開發(fā)超過12納米的新節(jié)點(diǎn)，以節(jié)省資源，因為它已經(jīng)確定建立一個新的工廠來處理12納米以下的訂單，這超出了公司的財務(wù)能力。截至2019年，三星是先進(jìn)半導(dǎo)體縮放的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，其次是臺積電，然后是英特爾。