20世紀(jì)

第一個(gè)金屬氧化物-硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是由埃及工程師Mohamed M. Atalla和韓國(guó)工程師Dawon Kahng于1959年至1960年間在貝爾實(shí)驗(yàn)室制造的。 [13] 最初有兩種類(lèi)型的MOSFET技術(shù)，PMOS（p型MOS）和NMOS（n型MOS）。 這兩種類(lèi)型都是由Atalla和Kahng在最初發(fā)明MOSFET時(shí)開(kāi)發(fā)的，在20微米和10微米的尺度上制造了PMOS和NMOS器件。

1963年，Chih-Tang Sah和Frank Wanlass在Fairchild半導(dǎo)體公司開(kāi)發(fā)了一種改進(jìn)的MOSFET技術(shù)，即CMOS。1968年，RCA公司將CMOS用于其4000系列集成電路，從20微米工藝開(kāi)始，在接下來(lái)的幾年里逐漸擴(kuò)展到10微米工藝。

此后，半導(dǎo)體設(shè)備制造從20世紀(jì)60年代的德克薩斯州和加利福尼亞州擴(kuò)展到世界其他地區(qū)，包括亞洲、歐洲和中東。

21世紀(jì)

今天的半導(dǎo)體行業(yè)是一個(gè)全球性的業(yè)務(wù)。領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商通常在世界各地都有設(shè)施。世界上最大的半導(dǎo)體制造商三星電子，在韓國(guó)和美國(guó)都有設(shè)施。英特爾，第二大制造商，在歐洲、亞洲和美國(guó)都有設(shè)施。臺(tái)積電是世界上最大的純晶圓廠，在臺(tái)灣、中國(guó)、新加坡和美國(guó)都有設(shè)施。高通和博通是最大的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司之一，將其生產(chǎn)外包給臺(tái)積電等公司。

自2009年以來(lái)，”節(jié)點(diǎn) “已成為一個(gè)用于營(yíng)銷(xiāo)的商業(yè)名稱(chēng)，表示新一代的工藝技術(shù)，與門(mén)長(zhǎng)、金屬間距或門(mén)間距沒(méi)有任何關(guān)系。例如，GlobalFoundries的7納米工藝與英特爾的10納米工藝相似，因此傳統(tǒng)的工藝節(jié)點(diǎn)概念已經(jīng)變得模糊。此外，臺(tái)積電和三星的10納米工藝在晶體管密度上只比英特爾的14納米工藝略高。它們實(shí)際上比英特爾的10納米工藝更接近英特爾的14納米工藝（例如，三星的10納米工藝的鰭片間距與英特爾的14納米工藝完全相同。4。

截至2019年，英特爾、聯(lián)電、臺(tái)積電、三星、美光、SK海力士、東芝內(nèi)存和GlobalFoundries等公司正在大規(guī)模生產(chǎn)14納米和10納米芯片，臺(tái)積電和三星正在大規(guī)模生產(chǎn)7納米工藝芯片，盡管他們的7納米節(jié)點(diǎn)定義與英特爾的10納米工藝類(lèi)似。5納米工藝在2018年開(kāi)始由三星生產(chǎn)。截至2019年，晶體管密度最高的節(jié)點(diǎn)是臺(tái)積電的5納米N5節(jié)點(diǎn)，其密度為每平方毫米1.713億個(gè)晶體管。2019年，三星和臺(tái)積電宣布計(jì)劃生產(chǎn)3納米節(jié)點(diǎn)。GlobalFoundries決定停止開(kāi)發(fā)超過(guò)12納米的新節(jié)點(diǎn)，以節(jié)省資源，因?yàn)樗呀?jīng)確定建立一個(gè)新的工廠來(lái)處理12納米以下的訂單，這超出了公司的財(cái)務(wù)能力。截至2019年，三星是先進(jìn)半導(dǎo)體縮放的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，其次是臺(tái)積電，然后是英特爾。